SOIMOSFETおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大垣孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998035137
Publication number (International publication number)：1999233785
Application date： Feb. 17, 1998
Publication date： Aug. 27, 1999
Summary：

【要約】【課題】チャネル領域で発生するホットキャリアを効率よくボディコンタクト領域へ流すことができ、かつ素子間を分離することができる。【解決手段】絶縁膜11と、この絶縁膜の表面に設けられた第1フィールド酸化膜13と、この第1フィールド酸化膜に囲まれた絶縁膜の表面に設けられている、チャネル領域15、ソース領域17およびドレイン領域19を有する第1シリコン領域21と、絶縁膜の表面に第1シリコン領域と離間して設けられている、ボディコンタクト領域22を有する第2シリコン領域23と、第1シリコン領域と第2シリコン領域との間の絶縁膜の表面に設けられた第3シリコン領域25と、この第3シリコン領域上に設けられていて、第1および第2シリコン領域を離間する第2フィールド酸化膜27とを含み、チャネル領域とボディコンタクト領域とは第3シリコン領域を介して電気的に接続されている。

Claim (excerpt)：

絶縁膜と、該絶縁膜の表面に設けられた第1フィールド酸化膜と、該第1フィールド酸化膜に囲まれた前記絶縁膜の表面に設けられている、チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を有する第1シリコン領域と、前記絶縁膜の表面に前記第1シリコン領域と離間して設けられている、ボディコンタクト領域を有する第2シリコン領域と、前記第1シリコン領域と前記第2シリコン領域との間の前記絶縁膜の表面に設けられた第3シリコン領域と、該第3シリコン領域上に設けられていて、前記第1および第2シリコン領域を離間する第2フィールド酸化膜とを含み、前記チャネル領域と前記ボディコンタクト領域とは前記第3シリコン領域を介して電気的に接続されていることを特徴とするSOIMOSFET。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/40 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 29/78 619 A , H01L 21/40 , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 626 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭58-124243
MIS電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-086757 Applicant：日本電信電話株式会社
SOI電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-014013 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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