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J-GLOBAL ID：200903014333137409

半導体レーザ装置

Inventor：
河田 誠治

About 河田 誠治


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998113660
Publication number (International publication number)：1999307871
Application date： Apr. 23, 1998
Publication date： Nov. 05, 1999
Summary：
【要約】【課題】 放熱性が高く、コストが低いうえに、LDチップの発光点の位置決めを精度よく、かつ簡単に行うことができる半導体レーザ装置を実現する。【解決手段】 リードフレーム1aの一方の端部が板状の搭載部1dとなり、他方の端部が、一方向に延びる電極リード部1gとなっている。搭載部1dの表面にはヒートシンク3を介してLDチップ2が搭載されている。リードフレーム1aには、LDチップ2を封入するために樹脂モールド4が形成されている。樹脂モールド4には、LDチップ2を封入するように透明キャップ5が取り付けられている。搭載部1dの裏面側の部分は樹脂モールド4から突出して露出しており、LDチップ2で発生した熱が搭載部1dの裏面から放出される。また、搭載部1dの裏面側の部分の一辺は、LDチップ2の発光点の位置を決めるための基準7となっている。
Claim (excerpt)：
レーザダイオードチップと、該レーザダイオードチップが表面に搭載される搭載部を有するリードフレームと、前記搭載部に搭載された前記レーザダイオードチップを封入するために前記リードフレームの少なくとも一部を被覆する絶縁部材とを有する半導体レーザ装置において、前記リードフレームの前記搭載部の裏面の少なくとも一部が前記絶縁部材から露出しており、かつ、前記搭載部の裏面の、露出した部分が、前記レーザダイオードチップの発光点の位置を決めるための基準となっていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
H01S 3/18 ,  H01S 3/02
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01S 3/02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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