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J-GLOBAL ID：200903014342904463

モノリシックマイクロ波集積回路

Inventor：
高須 英樹

About 高須 英樹


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002263542
Publication number (International publication number)：2004103819
Application date： Sep. 10, 2002
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：
【課題】段差のある電極間に形成したエアブリッジによる配線に、断線が起こりにくいモノリシックマイクロ波集積回路を得る。【解決手段】半絶縁性基板2上に突起状に形成されたPINダイオード3のアノード電極6aとストリップ伝送線路の信号用電極8aとの間を、エアブリッジによる配線7を形成して接続する際に、ストリップ伝送線路の信号用電極8aを半絶縁性基板2上に積層した絶縁膜9上に形成することにより電極間の段差を減らし、エアブリッジによる配線7の立ち上がり角度を小さくすると共に接続距離を短くし、エアブリッジによる配線7の断線の発生を抑える。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半絶縁性基板と、 この半絶縁性基板上に突出して形成された半導体素子と、 この半導体素子の上端に設けられた第1の電極と、 前記半絶縁性基板上に形成された絶縁膜と、 この絶縁膜上に形成された第2の電極と、 前記第1の電極と前記第2の電極とを接続するエアブリッジによる配線と を具備したことを特徴とするモノリシックマイクロ波集積回路。
IPC (3)：
H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L27/04
FI (2)：
H01L27/04 A ,  H01L21/90 N
F-Term (11)：
5F033GG02 ,  5F033MM30 ,  5F033PP19 ,  5F033RR06 ,  5F033RR30 ,  5F038AV04 ,  5F038AZ01 ,  5F038CA02 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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