高抵抗磁区制御膜を用いた磁界センサー、および磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000210704
Publication number (International publication number)：2002026426
Application date： Jul. 06, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】膜面に垂直な方向に信号検知電流を流す形式の磁界センサーにおいて信号再生時の分解能を高め、該磁界センサーを用いた磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】基板と、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、該一対の磁気シールド間に配置された磁気抵抗効果素子膜と、該磁気抵抗効果素子膜面に垂直な方向に信号電流を流すための電極端子と、前記磁気抵抗効果素子膜のバルクハウゼンノイズを抑制するための磁区制御膜とを備えた磁界センサーにおいて、該磁気抵抗効果素子膜両端位置に接して配された磁区制御膜を、10mΩcm以上の比抵抗をもつ、高抵抗率材料によって構成することにより再生分解能の優れた磁界センサーを得ることができ、同センサーを用いることにより再生分解能の優れた磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置を提供することができた。

Claim (excerpt)：

基板と、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、該一対の磁気シールド間に配置された磁気抵抗効果素子膜と、該磁気抵抗効果素子膜面に垂直な方向に信号電流を流すための電極端子と、前記磁気抵抗効果素子膜のバルクハウゼンノイズを抑制するための磁区制御膜を備えた磁界センサーにおいて、該磁気抵抗効果素子膜の媒体対向面側端面から素子高さ位置に至る領域において該磁気抵抗効果素子膜両脇位置に配された前記磁区制御膜が、その比抵抗が10ミリオームセンチメートル以上の材料からなり、前記領域において少なくとも前記磁気抵抗効果素子膜両脇端面に直接接していることを特徴とする磁界センサー。

IPC (3)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39

FI (3)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G01R 33/06 R

F-Term (13)：

2G017AA08 , 2G017AB01 , 2G017AB07 , 2G017AC01 , 2G017AC07 , 2G017AD55 , 5D034AA02 , 5D034BA03 , 5D034BA08 , 5D034BA12 , 5D034BA18 , 5D034BB08 , 5D034CA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

磁気抵抗効果素子,磁気抵抗効果センサ及びそれらを利用した装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-264464 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-061873 Applicant：ソニー株式会社
スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-120504 Applicant：株式会社日立製作所

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