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J-GLOBAL ID：200903014456188725

単結晶の切断方法

Inventor： 大見 忠弘 ,  須川 成利 ,  篠原 壽邦 ,  伊藤 辰夫 ,  金谷 晃一
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘 ,  信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000210192
Publication number (International publication number)：2002025949
Application date： Jul. 11, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 レーザー加工を用いてシリコン単結晶を切断する切断方法において、良好な切断面を得るとともに切断ロスを極めて少なくして単結晶を加工する。【解決手段】 単結晶の切断方法であって、単結晶の構成原子と反応して安定な気体分子となる気体分子またはラジカルを含むガスをノズル304により切断部近傍に供給しつつ、切断部に超短パルスレーザを301照射して単結晶を切断する。

Claim (excerpt)：

単結晶の切断方法であって、単結晶の構成原子と反応して安定な気体分子となる気体分子またはラジカルを含むガスを切断部近傍に供給しつつ、切断部に超短パルスレーザを照射して単結晶を切断することを特徴とする単結晶の切断方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 611 ,  B23K 26/00 320

FI (2)：

H01L 21/304 611 Z ,  B23K 26/00 320 E

F-Term (3)：

4E068AE01 ,  4E068CJ01 ,  4E068DA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• シリコン基板の切断加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-103111   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-220320   Applicant：日本碍子株式会社
• 特公平3-061634
  
• 特許第2536588号
  

Cited by examiner (5)

• シリコン基板の切断加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-103111   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 特公平3-061634
  
• 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-220320   Applicant：日本碍子株式会社
• 特公平3-061634
  
• 特許第2536588号