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J-GLOBAL ID：200903014463941528

AlGaN系化合物半導体のp型活性化方法

Inventor： 平野 光 ,  上山 智 ,  天野 浩 ,  赤崎 勇
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (2)： 政木 良文 ,  橋本 薫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003081407
Publication number (International publication number)：2004289013
Application date： Mar. 24, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】AlN組成比が20%以上のAlGaNを主として含むGaN系化合物半導体を低抵抗のp型半導体にできるp型活性化方法を提供する。【解決手段】少なくともベリリウムを含むp型不純物の注入されたAlN組成比が20%以上のAlGaNを主として含むGaN系化合物半導体7を形成後、GaN系化合物半導体7をアニーリングすることにより、GaN系化合物半導体7中に注入されたp型不純物と結合している水素を脱離させてGaN系化合物半導体7をp型活性化する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくともベリリウムを含むp型不純物の注入されたAlN組成比が20%以上のAlGaNを主として含むGaN系化合物半導体を形成後、前記GaN系化合物半導体をアニーリングすることにより、前記GaN系化合物半導体中に注入されたp型不純物と結合している水素を脱離させて前記GaN系化合物半導体をp型活性化することを特徴とするGaN系化合物半導体のp型活性化方法。

IPC (4)：

H01L31/10 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L33/00

FI (4)：

H01L31/10 A ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 C ,  H01L33/00 C

F-Term (25)：

5F041AA21 ,  5F041CA08 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA73 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA57 ,  5F045HA16 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA12 ,  5F049NA14 ,  5F049PA06 ,  5F049PA07 ,  5F049PA11 ,  5F049PA18 ,  5F049SZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化物半導体製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-149774   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 半導体素子の製造方法及び半導体素子、並びに発光素子の製造方法及び発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-343524   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-241967   Applicant：ソニー株式会社
• 受光素子の製造方法及び火炎センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-088266   Applicant：大阪瓦斯株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 岩波理化学辞典 第3版増補版, 1981, p.1045