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J-GLOBAL ID：200903038285437787

窒化物化合物半導体層の熱処理方法及び半導体素子の製造方法

Inventor：
竹谷 元伸

About 竹谷 元伸


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000241967
Publication number (International publication number)：2002057161
Application date： Aug. 10, 2000
Publication date： Feb. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】p型不純物が添加された窒化物化合物半導体層の低抵抗化、活性化を、従来の技術におけるよりも一層低温にて行うことを可能とする窒化物化合物半導体層の熱処理方法を提供する。【解決手段】窒化物化合物半導体層の熱処理方法は、p型不純物が添加された窒化物化合物半導体層を、200 ゚C以上400 ゚C未満の温度で、100分以上加熱する。
Claim (excerpt)：
p型不純物が添加された窒化物化合物半導体層を、200 ゚C以上400 ゚C未満の温度で、100分以上加熱することを特徴とする窒化物化合物半導体層の熱処理方法。
IPC (9)：
H01L 21/324 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343 ,  C23C 16/34
FI (8)：
H01L 21/324 C ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/26 G ,  H01L 29/72
F-Term (32)：
4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030DA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA14 ,  5F003AZ03 ,  5F003BG06 ,  5F003BM02 ,  5F003BP41 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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