アッシング方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金本哲男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996272980
Publication number (International publication number)：1998098026
Application date： Sep. 24, 1996
Publication date： Apr. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】イオン注入処理後のレジスト膜のアッシングレートを向上させると共に下地のシリコン酸化膜のエッチングを抑制する。【解決手段】処理容器2内のウエハWをハロゲンランプ4で加熱しつつアッシングする際、ガス供給源23、24、25、26からN2+H2+O2+CF4の混合ガスをチャンバ31内の供給管21でプラズマ化し、バッフル体13からウエハWに供給する。CF4の流量は、N2+H2の1/3以下とする。

Claim (excerpt)：

複数のガスからなる混合ガスをプラズマ化して、処理容器内の被処理基板表面の所定の膜を該プラズマ雰囲気の下でアッシングする方法において、前記混合ガスは少なくともN2とH2を含むガスであることを特徴とする、アッシング方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , G03F 7/42 , H01L 21/027 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 H , C23F 4/00 E , G03F 7/42 , H05H 1/46 A , H01L 21/30 572 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭64-048418
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-065456 Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
シャワーノズル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-001892 Applicant：株式会社東芝

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