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J-GLOBAL ID：200903014619994864

半導体装置、固体撮像素子及びその製造方法

Inventor： 角 博文 ,  鈴木 亮司 ,  馬淵 圭司 ,  上野 貴久 ,  塩野 浩一 ,  米本 和也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999200808
Publication number (International publication number)：2001028433
Application date： Jul. 14, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 CMOS型の固体撮像素子における高い感度及び低い暗電流状態の確保を図る。【解決手段】 pn接合型のセンサ部311とスイッチングトランジスタ32を有する画素が配列されてなる固体撮像素子であって、センサ部311を構成する第2導電型半導体領域64のスイッチングトランジスタ32のゲート端付近又は/及び素子分離層63端付近に第1導電型半導体層71が構成されて成る。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基体上に絶縁膜を介して配線層が形成され、前記第1導電型半導体基体に、前記配線層を挟んで第2導電型の第1半導体領域及び第2半導体領域が形成され、前記第2導電型の第1半導体領域の前記配線層端付近又は/及び素子分離層端付近に第1導電型半導体層が形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E

F-Term (21)：

4M118AA01 ,  4M118AA04 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA16 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  5C024AA01 ,  5C024CA10 ,  5C024CA12 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-248362   Applicant：株式会社東芝
• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-070801   Applicant：株式会社東芝