半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993166115
Publication number (International publication number)：1994349734
Application date： Jun. 12, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】非晶質珪素膜を600度以下の低温で結晶化させる。【構成】非晶質珪素膜に3族または、4族、または5族より選ばれた1種または複数種の元素を導入し、600度以下の加熱によって結晶化させる。この結晶化は、前記元素が導入された領域から基板に平行な方向に行われる。例えば、100の領域に上記微量元素を導入すると、105で示すように結晶成長が行われ、該結晶成長領域を利用して半導体デバイス、例えばTFTを形成することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された結晶性を有する非単結晶珪素半導体膜を利用した半導体装置であって、前記結晶性珪素半導体膜は、結晶化を促進させるための元素として、3族、4族、5族、の元素から選ばれた1種または複数種の元素が添加され、かつ該添加領域から基板に平行な方向に結晶成長が行われており、前記基板に平行な方向に結晶成長が行われた領域を利用して薄膜半導体装置が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-229120 Applicant：沖電気工業株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-196807 Applicant：富士ゼロツクス株式会社
結晶化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-302951 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (13)

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