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J-GLOBAL ID：200903014759236854

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： 菅原 秀人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998168004
Publication number (International publication number)：2000004047
Application date： Jun. 16, 1998
Publication date： Jan. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】本願は、光出力を常にモニターしながら一定の光出力を確保し、発光素子の信頼性を向上させる事を目的とする。【解決手段】本願発明は、光が照射されると電圧を発生する受光素子と、前記受光素子に積層して設けられた発光素子とを具備する事を特徴としている。

Claim (excerpt)：

光が照射されると電圧を発生する受光素子と、前記受光素子の上に積層して設けられた発光素子と、を具備する事を特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/15

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 27/15 D

F-Term (5)：

5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA91 ,  5F041CA98 ,  5F041CB32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 化合物半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-146101   Applicant：富士通株式会社
• 特開昭62-188385
  
• 光集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-187965   Applicant：日本電信電話株式会社
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-018671   Applicant：株式会社東芝