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J-GLOBAL ID：200903014772793231

太陽電池およびその製造方法

Inventor： 佐藤 琢也 ,  根上 卓之 ,  林 茂生 ,  橋本 泰宏 ,  島川 伸一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001058891
Publication number (International publication number)：2001339081
Application date： Mar. 02, 2001
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む半導体を用いた特性および信頼性が高い太陽電池、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 導電性の基体11と、基体11の一主面11a上に形成された第1の絶縁層12aと、基体11の他主面11b上に形成された第2の絶縁層12bと、第1の絶縁層11aの上方に配置された光吸収層14とを備え、光吸収層14が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む半導体からなる。

Claim (excerpt)：

導電性の基体と、前記基体の一主面上に形成された第1の絶縁層と、前記基体の他主面上に形成された第2の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上方に配置された光吸収層とを備え、前記光吸収層が、Ib族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含む半導体からなる太陽電池。

F-Term (7)：

5F051AA10 ,  5F051BA17 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051EA11 ,  5F051FA04 ,  5F051GA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-116986
  
• 太陽電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-156608   Applicant：本田技研工業株式会社
• 薄膜太陽電池の製法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-513835   Applicant：ノルディックソーラーエナジイアクチボラゲット
• 特開平4-116986