発光素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：菅原正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001131328
Publication number (International publication number)：2002329887
Application date： Apr. 27, 2001
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】気相成長法により発光層部をなす半導体層を形成する際に、原料ガスの反応効率を飛躍的に高めることができ、ひいては、結晶欠陥の少ない高品質の半導体層を容易に実現できる発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板を配置した反応容器内に原料ガスを導入し、該原料ガスの化学反応により生ずる半導体材料を基板の主表面上に堆積させることにより、発光層部をなす半導体層を気相成長させる。そして、半導体層を気相成長する際に、基板主表面と原料ガスとに紫外線を照射する。

Claim (excerpt)：

基板を配置した反応容器内に原料ガスを導入し、該原料ガスの化学反応により生ずる半導体材料を前記基板の主表面上に堆積させることにより、発光層部をなす半導体層を気相成長させる工程を有し、該半導体層を気相成長する際に、前記反応容器内に導入された原料ガスに紫外線を照射することを特徴とする発光素子の製造方法。

IPC (5)：

H01L 33/00 , C30B 25/02 , C30B 29/16 , C30B 29/22 , H01L 21/205

FI (5)：

H01L 33/00 D , C30B 25/02 Z , C30B 29/16 , C30B 29/22 Z , H01L 21/205

F-Term (38)：

4G077AA03 , 4G077BB02 , 4G077BB07 , 4G077BC60 , 4G077DB08 , 4G077DB25 , 4G077TB05 , 4G077TB08 , 5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA41 , 5F041CA46 , 5F041CA55 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CA77 , 5F041CA88 , 5F045AA04 , 5F045AA11 , 5F045AB22 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC19 , 5F045AD07 , 5F045AF09 , 5F045BB04 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EK12 , 5F045EK17 , 5F045EK19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-280975
レーザCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-150134 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-037117

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