高単結晶性酸化亜鉛薄膜及び製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：塩澤寿夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999088231
Publication number (International publication number)：2000281495
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 10, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板を含めた450〜800nmにおける可視光線透過率に優れ、単結晶性が高い酸化亜鉛薄膜を有する物品及びその製造方法を提供すること。【解決手段】イットリア安定化ジルコニア(YSZ)基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有するか、またはYSZ薄膜を少なくとも一方の面の少なくとも一部に有する基板の前記YSZ薄膜の少なくとも一部の上に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有する物品。YSZ基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に、またはYSZ薄膜を少なくとも一方の面の少なくとも一部に有する基板の前記YSZ薄膜の少なくとも一部の上に、酸化亜鉛焼結体をターゲットとして用いる薄膜法により、高単結晶性酸化亜鉛薄膜を形成することを含む高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有する物品の製造方法。

Claim (excerpt)：

イットリア安定化ジルコニア(以下、YSZと略記する)基板の少なくとも一方の面の少なくとも一部に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有するか、またはYSZ薄膜を少なくとも一方の面の少なくとも一部に有する基板の前記YSZ薄膜の少なくとも一部の上に高単結晶性酸化亜鉛薄膜を有することを特徴とする物品。

IPC (4)：

C30B 29/16 , B32B 17/06 , B32B 18/00 , B32B 27/06

FI (4)：

C30B 29/16 , B32B 17/06 , B32B 18/00 B , B32B 27/06

F-Term (29)：

4F100AA00A , 4F100AA25B , 4F100AA25K , 4F100AA27C , 4F100AA27K , 4F100AG00A , 4F100AK01A , 4F100AT00A , 4F100AT00C , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100EH66 , 4F100GB41 , 4F100JA11B , 4F100JA11K , 4F100JG01 , 4F100JM02B , 4F100JM02C , 4F100JN01 , 4F100YY00B , 4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077DA03 , 4G077EB01 , 4G077EB05 , 4G077ED06 , 4G077EJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

酸化亜鉛薄膜の製造方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-185453 Applicant：ライオン株式会社
特開平2-259062
蒸着薄膜の作製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-127495 Applicant：三菱化成株式会社

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Cited by examiner (4)

酸化亜鉛薄膜の製造方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-185453 Applicant：ライオン株式会社
特開平2-259062
蒸着薄膜の作製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-127495 Applicant：三菱化成株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Formation of a zinc oxide/yttria-stabilized zirconia interface

Cited by examiner (1)

Formation of a zinc oxide/yttria-stabilized zirconia interface

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