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J-GLOBAL ID：200903015038490063

FETを基礎とするガスセンサ

Inventor： フライシャー・マキシミリアン ,  ランペ・ウヴェ ,  マイクスナー・ハンス ,  ポーレ・ローラント ,  ジーモン・エルフリーデ
Applicant, Patent owner： マイクロナス ゲーエムベーハー
Agent (2)： 中川 裕幸 ,  反町 行良
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2007508846
Publication number (International publication number)：2007533987
Application date： Apr. 21, 2005
Publication date： Nov. 22, 2007
Summary：

仕事関数の変化により電界効果構造が制御されるガス感応層と参照層とから成るFETを基礎とするガスセンサであって、その際、これら2つの層の材料が、ターゲットガスに対する仕事関数の変化は起こらず、検出すべきでないガスに対する仕事関数の変化が総和で消えるように相互に調整されている。

Claim (excerpt)：

ガス吹込みにより生じる各層材料における仕事関数の変化が電界効果構造の制御に使用される、少なくとも1つの電界効果トランジスタならびにガス感応層および参照層から成るFETを基礎とするガスセンサであって、その際、これら2つの層の材料が、 -ガス感応層と参照層のそれぞれのガス感度が検出すべきガスまたは少なくとも1種の妨害ガスに対して異なっているか、あるいは -これらが検出すべきガスに対しても、少なくとも1種の妨害ガスに対しても異なっており、かつ -これら2つの層の信号の演算によって演算した信号を得ることができ、この演算した信号が検出すべきガスに対するセンサ全体のガス感度に関して、妨害信号に対するガス感応層の信号よりも妨害信号に対してより大きな隔たりを示す ように相互に調整されている、FETを基礎とするガスセンサ。

IPC (1)：

G01N 27/00

FI (1)：

G01N27/00 J

F-Term (6)：

2G060AA01 ,  2G060AB09 ,  2G060DA07 ,  2G060DA10 ,  2G060DA14 ,  2G060DA19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• ドイツ特許出願公開第19814857号明細書
  
• ドイツ特許第19956744号明細書
  
• ドイツ特許第19956806号明細書
  
• ドイツ特許第19926747号明細書
  
• 特開昭62-237347
  
• ガス感応性積層体及びその製造方法並びにガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-297325   Applicant：日本特殊陶業株式会社
• イオン非感応電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-283493   Applicant：シロキ工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-237347
  
• 特開昭62-237347
  
• ガス感応性積層体及びその製造方法並びにガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-297325   Applicant：日本特殊陶業株式会社
• イオン非感応電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-283493   Applicant：シロキ工業株式会社