半導体レーザ素子

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002031984
Publication number (International publication number)：2002305348
Application date： Nov. 28, 2000
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザ素子の高出力化又は短波長化に対応できる端面反射膜を得られるようにする。【解決手段】半導体レーザ素子10には、窒化ガリウムからなる障壁層と窒化インジウムガリウムからなる井戸層とにより構成される量子井戸活性層11が少なくともn型とp型の各窒化アルミニウムガリウムからなる光ガイド層に上下方向から挟まれてなる共振器12が形成されている。共振器12におけるレーザ光100の出射端面10aと反対側の反射端面10bには端面反射膜13が設けられている。端面反射膜13は、共振器12の端面側から順次成膜された酸化シリコンからなる低屈折率膜13aと酸化ニオブからなる高屈折率膜13bとにより構成される単位反射膜130を複数含むように構成されている。

Claim (excerpt)：

発振波長が赤外又は赤色領域の半導体レーザ素子であって、複数の半導体層により形成された共振器と、前記共振器の端面に第1の誘電体層を介在させて形成され、酸化ニオブからなる第2の誘電体層を含む反射膜とを備え、酸化ニオブの前記発振波長に対する吸収係数は酸化チタンの前記発振波長に対する吸収係数よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/028 , G11B 7/125

FI (2)：

H01S 5/028 , G11B 7/125 A

F-Term (17)：

5D119AA33 , 5D119BA01 , 5D119BB02 , 5D119FA05 , 5D119FA20 , 5F073AA73 , 5F073AA83 , 5F073AB27 , 5F073BA05 , 5F073CA04 , 5F073CA05 , 5F073DA21 , 5F073DA32 , 5F073DA33 , 5F073EA05 , 5F073EA24 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

多波長用レーザーミラー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-189011 Applicant：株式会社ニコン
管球
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-262017 Applicant：東芝ライテック株式会社
特表平5-502310

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