半導体レーザ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996095038
Publication number (International publication number)：1997283843
Application date： Apr. 17, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】従来の高出力半導体レーザでは、定光出力連続動作に伴って動作電流の急激な増加が生じ、十分な寿命時間を有する高信頼な半導体レーザを得ることができなかった。【解決手段】半導体レーザの光出射面の保護膜として少なくともその一部に窒化物層を含む絶縁物を形成する。保護膜形成前に自然酸化膜を除去すると更に有効である。【効果】本発明により、高出力半導体レーザにおいて長寿命化、高信頼化を容易な方法で実現し、歩留まり向上、低コスト化を実現した。

Claim (excerpt)：

半導体レーザに於て光出射面の保護膜として、該光出射面である半導体表面に隣接して窒化物からなる絶縁膜が形成され、更に該窒化物からなる絶縁膜上に窒化物以外の絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

高出力半導体レーザのエンド・ミラーを準備しパッシベーションする方法および関連するレーザ・デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-108697 Applicant：アルカテル・エヌ・ブイ
特開平3-145175
特開平2-162788

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