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J-GLOBAL ID：200903015084623175

磁気抵抗センサ

Inventor： 深見 達也 ,  山田 康一 ,  前田 喜信 ,  川野 裕司
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996039319
Publication number (International publication number)：1997231517
Application date： Feb. 27, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 印加磁界強度および磁界印加角度による抵抗変化が、良好な線形性を呈する磁気抵抗センサを得る。【解決手段】 磁気抵抗効果膜8は非磁性層を介して設けた軟質強磁性体の第1磁性薄膜層と硬質強磁性体の第2磁性薄膜層とを有し、印加磁界により第1、第2磁性薄膜層の磁化の相対角度が変化し、それに応じて抵抗が変化する。磁気抵抗効果膜8をホイートストーンブリッジに構成し、隣り合う磁気抵抗効果膜8の第2磁性薄膜層の磁化方向20が互いに反平行である。

Claim (excerpt)：

非磁性層を介して設けた軟質強磁性体の第1磁性薄膜層と硬質強磁性体の第2磁性薄膜層とを有し、印加磁界により変化する上記第1、第2磁性薄膜層の磁化の相対角度に応じて抵抗が変化する磁気抵抗効果膜がホイートストーンブリッジに構成され、上記隣り合う磁気抵抗効果膜の上記第2磁性薄膜層の磁化方向が反平行である磁気抵抗センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• スピンバルブ膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-053685   Applicant：日本電気株式会社
• 磁界センサー及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-283070   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション