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J-GLOBAL ID：200903015116039055

処理方法及び処理装置

Inventor：
荒見 淳一

About 荒見 淳一


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993272468
Publication number (International publication number)：1995130658
Application date： Oct. 29, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 処理室内壁や、ヒーター等の損傷を抑制することができ、これらの構成部品の寿命を長期化することによって、ランニングコストの低減および装置稼働率の向上を図ることのできる処理方法及び処理装置を提供する。【構成】 半導体ウエハWを搬入し、載置台9上に吸着保持し、処理ガス供給源20から所定の処理ガスを供給して、半導体ウエハWに成膜処理を行う。この後、処理室内の半導体ウエハWを搬出し、クリーニングガス供給源21から所定のクリーニングガスを処理室内に供給し、処理室内のクリーニング処理を行う。しかる後、保護膜形成用ガス供給源22から処理室内に保護膜形成用ガスを供給し、処理室内の構造物に保護膜形成処理を行う。
Claim (excerpt)：
被処理物を処理室内に配置し、所定の処理ガス雰囲気下で前記被処理物に所定の処理を施す処理方法において、前記被処理物を前記処理室から搬出した状態で、前記処理室内に所定の保護膜形成用ガスを導入し、該処理室内の構造物の少なくとも一部に保護膜を形成する保護膜形成工程を具備したことを特徴とする処理方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
  • CVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-090275   Applicant：株式会社東芝
  • 炭素膜作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-269270   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開昭63-215037
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