半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001311031
Publication number (International publication number)：2003124510
Application date： Oct. 09, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】選択成長により活性層が傾斜結晶面に平行な面内に形成される半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法において、傾斜結晶面に形成される活性層を挟む導電型層からの不純物の拡散を防ぎ、活性層の劣化を防止することができ、さらに発光効率が良い半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする【解決手段】選択成長により傾斜結晶面に平行な面内に形成される活性層及び導電型層において、活性層に近接して形成されるアンドープ結晶層により導電型層から活性層へ拡散する不純物を遮断することができ、導電型層に多くの不純物をドープして発光効率を高めることができる。また、活性層と導電型層との界面において発生するリーク電流を防止することができ、活性層の劣化するのを回避することができる。

Claim (excerpt)：

基板上に該基板の主面に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層を形成し、前記傾斜結晶面に平行な面内に延在する第一導電型層、活性層、及び第二導電型層を前記結晶層に形成し、前記傾斜結晶面に平行な面内に延在するアンドープ結晶層を前記活性層に近接して前記結晶層に形成してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

F-Term (21)：

5F041AA03 , 5F041AA44 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA75 , 5F041CA76 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045CA09 , 5F045DA52 , 5F045DA57 , 5F045DA61 , 5F045DB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-179489 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-058508 Applicant：株式会社リコー
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-304587 Applicant：富士通株式会社

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