研磨方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003205241
Publication number (International publication number)：2004072099
Application date： Aug. 01, 2003
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】スクラッチや剥がれ、ディシング、エロージョンを抑制し、また、複雑な洗浄プロセスや研磨剤供給/処理装置を必要とせず、研磨剤や研磨布等の消耗品のコストを抑さえた研磨技術を提供する。【解決手段】溝を有する絶縁膜23上に形成された金属膜21を、酸化性物質と酸化物を水溶化する物質を含み、研磨砥粒を含まない研磨液で研磨する。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板上に形成された凹凸を有する金属膜を研磨して平坦化する半導体装置の製造方法において、前記金属膜の凹凸部分を酸化性物質により酸化させ金属酸化物を形成し、前記金属酸化膜を前記金属膜のpH-酸化還元電位図においてpHおよび酸化還元電位が前記金属膜の腐食域にある水溶化物質により水溶化して前記金属酸化膜を溶出することにより前記金属膜を研磨し、その研磨において前記金属酸化物の凸部分を研磨布の機械的摩擦により局所的に加熱することにより前記水溶化の反応を促進することにより、前記凸部分の金属酸化膜の研磨速度を凹部分の金属酸化膜の研磨速度より大きくして、前記凹凸を有する金属膜を平坦化することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L21/304 , B24B37/00 , H01L21/306

FI (4)：

H01L21/304 622C , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , H01L21/306 M

F-Term (12)：

3C058AA07 , 3C058CA01 , 3C058CB02 , 3C058CB05 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 5F043AA22 , 5F043BB15 , 5F043BB30 , 5F043DD16 , 5F043EE08 , 5F043GG02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

研磨剤および研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-055290 Applicant：株式会社東芝
配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238263 Applicant：住友金属工業株式会社
ポリッシング方法及び金属配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-276866 Applicant：日本電気株式会社

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