半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後藤洋介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997237385
Publication number (International publication number)：1999087332
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 SOGを用いたビア開口工程でレジストをO2 アッシングした時のダメージでSOGむき出し部がSi-OH結合を生じるのを低減させる。【解決手段】 SOGむき出し部がO2 プラズマにさらされた後にH2 プラズマをさらすことにより、Si-OH結合部をSi-H結合部106に変える。

Claim (excerpt)：

半導体素子を有する半導体基板上に絶縁膜を介して複数の配線が配設され、前記配線間及びその上部がSOGに直接または無機絶縁膜を介して覆われ、配線のスルーホール部に接するSOGがSi-OH結合を持たないようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/312 , H01L 21/316 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/312 N , H01L 21/316 P , H01L 21/88 K , H01L 21/88 B , H01L 21/90 A , H01L 21/90 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の絶縁層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-287009 Applicant：財団法人韓国電子通信研究所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-206702 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-214798 Applicant：三菱電機株式会社

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