光制御素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小川勝男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000359964
Publication number (International publication number)：2002162657
Application date： Nov. 27, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】共鳴励起型全光・光制御素子実用化の大きな課題は、応答の高速化、とりわけ快復時間の短縮、並びに信号光の状態を制御する制御光の電力を低減することである。【解決手段】本願発明の主要形態は、信号光及びこれとは別の制御光を、半導体積層体に入射し、前記信号光を前記光制御光を用いて制御が可能な光制御素子において、前記半導体積層体が井戸層と障壁層とを有する量子井戸構造を有し、且つ前記井戸層及び前記障壁層が不純物を含有してなる光制御素子である。更に、不純物を含有する前記障壁層と前記井戸層の間に不純物を添加しない半導体薄層を有することが実用的に好ましい。

Claim (excerpt)：

信号光及びこれとは別の制御光とを、半導体積層体に入射し、前記信号光を前記光制御光を用いて制御が可能な光制御素子において、前記半導体積層体が井戸層と障壁層とを有する量子井戸構造を有し、且つ前記井戸層及び前記障壁層が不純物を含有してなること特徴とする光制御素子。

F-Term (8)：

2K002AA02 , 2K002AB04 , 2K002BA02 , 2K002CA13 , 2K002CA22 , 2K002DA12 , 2K002GA10 , 2K002HA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体光スイッチ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-260022 Applicant：株式会社東芝
特開平4-208920
半導体光分散補償器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-006419 Applicant：株式会社日立製作所

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