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J-GLOBAL ID：200903015256243159

半導体装置の洗浄剤および半導体装置の製造方法

Inventor： 加藤 友章 ,  中野 正
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 小林 英一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996049984
Publication number (International publication number)：1997246222
Application date： Mar. 07, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課 題】 強い洗浄力を保ちながらしかも配線メタルを腐食しない半導体装置の水溶性レジスト洗浄剤および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ドライエッチング後に、水溶性フッ素化合物、有機溶剤、および水を含有し、かつpHが8.40〜9.80である洗浄剤を用いて半導体装置を洗浄する。

Claim (excerpt)：

水溶性フッ素化合物、有機溶剤、および水を含有し、かつpHが8.40〜9.80であることを特徴とする半導体装置の洗浄剤。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  C11D 7/50 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308

FI (4)：

H01L 21/304 341 L ,  C11D 7/50 ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-000520   Applicant：三菱瓦斯化学株式会社, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 特開昭59-161036
  
• マイクロエレクトロニクス基板洗浄用のpH調整された、非イオン性表面活性剤含有アルカリ性クリーナー組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-115235   Applicant：ジェイティ-ベ-カ-インコ-ポレイテッド
• 特開昭59-161036