Pat
J-GLOBAL ID：200903015310272062
半導体ウェハを個々分割するための装置および方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001319928
Publication number (International publication number)：2002329686
Application date： Oct. 17, 2001
Publication date： Nov. 15, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ダイシングプロセスを最適化し且つ半導体ウェハのボトムサイドチッピング(BSC)を最小限にとどめること。【解決手段】 半導体基板をダイシングする方法は、層に亘ってレーザービームをスキャンすることによって、層の第1の方向に第1の組のスクライブラインを形成し、レーザービームが層の少なくとも一部を取り除き、層に亘ってレーザービームをスキャンすることによって、層の第2の方向に第2の組のスクライブラインを形成し、レーザービームで層の少なくとも一部を取り除き、ソーブレードで第2の組のスクライブラインに沿って基板をカットし、第1の組の切溝のそれぞれを形成し、ソーブレードで第1の組のスクライブラインに沿って基板をカットし、第2の組の切溝のそれぞれを形成する。基板は、レーザービームの波長に対した第2の吸収係数を有し、第2の吸収係数が、第1の吸収係数より約1桁小さい。
Claim (excerpt)：
半導体基板をダイシングする方法であって、(a)該基板の表面上の層にレーザービームを向け、該層が該レーザービームの波長に対して第1の吸収係数を有するステップと、(b)該第1の吸収係数に基づいて該レーザービームからのエネルギーを該層に吸収させるステップと、(c)該層に亘って該レーザービームをスキャンすることによって、該層の第1の方向に第1の組のスクライブラインを形成し、該レーザービームが該層の少なくとも一部を取り除くステップと、(d)該層に亘って該レーザービームをスキャンすることによって、該層の第2の方向に第2の組のスクライブラインを形成し、該レーザービームで該層の少なくとも一部を取り除くステップであって、該第2の方向が該第1の方向に実質的に直交する、ステップと、(e)ソーブレードで該第2の組のスクライブラインに沿って該基板をカットし、第1の組の切溝のそれぞれを形成するステップと、(f)該ソーブレードで該第1の組のスクライブラインに沿って該基板をカットし、第2の組の切溝のそれぞれを形成するステップとを包含し、該基板が、該レーザービームの該波長に対して第2の吸収係数を有し、該第2の吸収係数が、該第1の吸収係数より約1桁小さい、方法。
IPC (3)：
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K101:40
B23K 26/00 D
, B23K101:40
, H01L 21/78 B
4E068AA03
, 4E068AD00
, 4E068CA04
, 4E068DA10
Cited by examiner (5)
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