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J-GLOBAL ID：200903015419198857

気相成長装置

Inventor： 上杉 宏之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996218655
Publication number (International publication number)：1998064831
Application date： Aug. 20, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 枚葉式CVD装置において、ウェーハ表面に生成する膜の厚さの面内均一性を向上させる。【解決手段】 サセプタ13の上方でこれに対向するシャワーヘッド14の底面に、その中心部から周縁部に向けて順次サセプタ13に近づくような同心円状の段を設け、その各段に多数のガス噴出口を設ける。

Claim (excerpt)：

チャンバ内でシャワーヘッドがサセプタの上方に位置して該サセプタに対向しており、該シャワーヘッドの底面に設けられた複数のガス噴出口から該サセプタ上に載置されたウェーハに向けてガスを噴出して該ウェーハ表面に膜を生成する気相成長装置において、前記シャワーヘッドの底面には同心円状に段が形成されており、該底面の周縁部がその内側の段より下方に位置し、且つ各段に複数のガス噴出口が設けられていることを特徴とする気相成長装置。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-215428
  
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-167451   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 単一ウエーハ半導体処理装置用プログラム可能な多ゾーンガス注入器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-029566   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 特開平4-215428