単結晶サファイア基板およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002338846
Publication number (International publication number)：2004168622
Application date： Nov. 22, 2002
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】凹または凸形状に統一され且つ任意の基板そり量をもつ単結晶サファイア基板を提供するともに安定的で量産に適した製造方法を提供する。【解決手段】単結晶サファイア基板の両面ラッピング工程後の熱処理条件により、面間の応力差を任意に設定し、任意の基板形状およびそり量の基板を作製する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

主面側が凹形状または凸形状となるように、3〜100μmの範囲でそっていることを特徴とする単結晶サファイア基板。

IPC (3)：

C30B29/20 , C30B33/00 , H01L21/304

FI (5)：

C30B29/20 , C30B33/00 , H01L21/304 622B , H01L21/304 622D , H01L21/304 622W

F-Term (5)：

4G077AA02 , 4G077BB01 , 4G077FE03 , 4G077FG12 , 4G077HA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

薄型サファイヤ基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-069422 Applicant：並木精密宝石株式会社
ランガサイト型酸化物単結晶ウェハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-368642 Applicant：日本ビクター株式会社
特開昭57-095899

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