薄型サファイヤ基板

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000069422
Publication number (International publication number)：2001253800
Application date： Mar. 13, 2000
Publication date： Sep. 18, 2001
Summary：

【要約】【課題】結晶成長後の素子材料の製品品質を向上させることのできるサファイヤ基板を提供すること。【解決手段】半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、当該基板の厚さH1を、当該基板に積層させる半導体の積層厚さと同程度の厚さに予め加工した薄型サファイヤ基板。

Claim (excerpt)：

半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、当該基板の厚さを、当該基板上に積層させる半導体の積層厚さと同程度の厚さに予め加工したことを特徴とする薄型サファイヤ基板。

IPC (2)：

C30B 29/38 , H01L 33/00

FI (2)：

C30B 29/38 D , H01L 33/00 C

F-Term (8)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077ED04 , 4G077HA02 , 5F041AA40 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA76

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-282223 Applicant：株式会社東芝
窒化物系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-087935 Applicant：松下電子工業株式会社, 杉野隆
半導体基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-053452 Applicant：日本電気株式会社

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