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J-GLOBAL ID：200903015512295625

半導体発光装置

Inventor：
石田 昌宏

About 石田 昌宏


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999339049
Publication number (International publication number)：2001156327
Application date： Nov. 30, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】 活性層からの発光光の吸収がなく且つ放熱性に優れる半導体発光装置を得られるようにする。【解決手段】 発光ダイオード装置は、発光光に対して透明で且つ比較的高い熱伝導率を有し、主面の面方位が(0001)面であるn型GaNからなる基板11を有している。基板11上には、膜厚が約1μmのn型GaAsからなり、基板11と該基板11上の各半導体層との格子不整合を緩和するバッファ層12と、膜厚が約0.5μmのn型AlGaAsからなり、発光に寄与するキャリアを発光層14に閉じ込める第1クラッド層13と、膜厚が約0.1μmのアンドープのAlGaAsからなり、閉じ込められたキャリアを再結合させて発光光を生成する発光層14と、膜厚が約0.5μmのp型AlGaAsからなり、キャリアを発光層14に閉じ込める第2クラッド層15とが順次形成されている。
Claim (excerpt)：
窒素を含む第1のIII-V族化合物半導体からなる基板と、前記基板の上に形成され、ヒ素又はリンを含む第2のIII-V族化合物半導体からなる活性層とを備えていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (3)：
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323
F-Term (21)：
5F041AA03 ,  5F041AA33 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15 ,  5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA63 ,  5F073AA74 ,  5F073AB17 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体レーザー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-006368   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • 短波長発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-085282   Applicant：富士写真フイルム株式会社
Cited by examiner (2)
  • 半導体レーザー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-006368   Applicant：富士写真フイルム株式会社
  • 短波長発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-085282   Applicant：富士写真フイルム株式会社

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