Pat
J-GLOBAL ID:200903015559310690

インジウム酸化物系焼結体およびその製造方法ならびにインジウム酸化物系ターゲット

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 大場 充
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995281559
Publication number (International publication number):1997125236
Application date: Oct. 30, 1995
Publication date: May. 13, 1997
Summary:
【要約】【課題】 本発明の目的は、大型で一体に形成された高密度なインジウム酸化物系焼結体およびその製造方法ならびにインジウム酸化物系ターゲットを提供することである。【解決手段】 本発明は、InおよびOからなり、相対密度90%以上であって、残留応力xが-200≦x≦200MPaであることを特徴とするインジウム酸化物系焼結体。
Claim (excerpt):
InおよびOからなり、相対密度90%以上であって、残留応力xが-200≦x≦200MPaであることを特徴とするインジウム酸化物系焼結体。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page