ITO粉末、ITO焼結体およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993330812
Publication number (International publication number)：1995188912
Application date： Dec. 27, 1993
Publication date： Jul. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】【構成】平均粒子径/BET法より求めた比表面積相当径が1〜10、BET法より求めた比表面積相当径/X線解析により求めた結晶子径が2以下である物性をそれぞれ有する、酸化インジウム及び酸化スズを混合してなるITO粉末、及びこの粉末を成形、常圧焼結してなる密度6.8〜7.13g/cm3、結晶粒径1〜20μm、焼結体中の最大気孔が10μm以下のITO焼結体。【効果】常圧焼結にも拘らず、高密度のITO焼結体が得られる。

Claim (excerpt)：

粒子径測定により求めた平均粒子径とBET法によって求めた比表面積相当径との比(平均粒子径/比表面積相当径)が1〜10であり、BET法によって求めた比表面積相当径とX線解析により求めた結晶子径との比(比表面積相当径/結晶子径)が2以下である物性をそれぞれ有する、酸化インジウムおよび酸化錫を混合してなるITO粉末。

IPC (4)：

C23C 14/34 , C01G 15/00 , C01G 19/00 , C04B 35/64

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

高密度ITO焼結体及びスパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-143652 Applicant：東ソー株式会社
低温成膜用ITOタ-ゲツト
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-090048 Applicant：東ソー株式会社
高密度ITOターゲットの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-042870 Applicant：日立金属株式会社, 株式会社安来精密

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