透明導電膜形成液及びそれを用いた透明導電膜付基体の製法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：廣田雅紀 , 小澤誠次 , 岡晴子 , ▲高▼津一也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002184144
Publication number (International publication number)：2004026554
Application date： Jun. 25, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【課題】デバイス素子の信頼性を向上させることのできる透明導電膜を形成可能な透明導電膜形成液、及びデバイス素子の信頼性を向上させることのできる透明導電膜付基体を容易に製造可能な透明導電膜付基体の製法を提供する。【解決手段】インジウム化合物(例えば、インジウムトリスアセチルアセトナート)及びスズ化合物(例えば、ジ-n-ブチルスズジアセテート)を含有し、かつ、アルカリ金属の含有量が2質量ppm以下であることを特徴とする透明導電膜形成液、及びそれを用いた透明導電膜付基体の製法である。

Claim (excerpt)：

インジウム化合物及びスズ化合物を含有し、かつ、アルカリ金属の含有量が2質量ppm以下であることを特徴とする透明導電膜形成液。

IPC (4)：

C03C17/25 , C09D5/24 , C09D201/00 , H01B13/00

FI (4)：

C03C17/25 A , C09D5/24 , C09D201/00 , H01B13/00 503B

F-Term (17)：

4G059AA08 , 4G059AC12 , 4G059EA03 , 4G059EB05 , 4J038JA34 , 4J038JC38 , 4J038JC41 , 4J038KA06 , 4J038MA10 , 4J038NA01 , 4J038NA20 , 5G323BA04 , 5G323BB01 , 5G323BB02 , 5G323BB03 , 5G323BB06 , 5G323BC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

高抵抗スズドープ酸化インジウム膜付ガラス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-085970 Applicant：日本曹達株式会社
特開平2-267812
特開平2-267812

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