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J-GLOBAL ID：200903015585618180

気相成長装置

Inventor：
三田 一登

About 三田 一登


Applicant, Patent owner：
古河機械金属株式会社

About 古河機械金属株式会社


Agent (1)： 速水 進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004120045
Publication number (International publication number)：2005303168
Application date： Apr. 15, 2004
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：
【課題】 多数の基板に対して同時に結晶成長を行い、高い生産性で成長を行う気相成長装置を提供する。【解決手段】 基板ホルダ11は、固定部材12により回転軸に沿って間隔を置いて連結されている。近接する基板ホルダ11は相対的に90度回転して取付けられており、最下流の基板ホルダ11は円形としている。基板ホルダ11は回転軸13を介してモータ14と連結しており、回転軸13周りに回転運動するようになっている。基板ホルダ11の各外周と反応管1内周との間には、充分大きな面積のガス通路が形成されており、下流側の基板ホルダ11に必要な量の原料ガスが送られるように構成されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
反応管と、 前記反応管内に反応ガスを供給するガス供給部と、 前記反応管内において、前記ガス供給部の下流側に配置された基板保持部と、 を備え、 前記基板保持部は、上流側から下流側にわたって配置された基板ホルダ群を含み、 前記基板ホルダ群を構成する基板ホルダは、同一軸周りに回転可能に構成されるとともに、前記軸に沿って間隔を置いて設けられ、 前記基板ホルダ群は、上流側の基板ホルダの外周と反応管内周との間に形成される間隙部を経由して下流側の基板ホルダへ前記反応ガスが導かれるように構成されたことを特徴とする気相成長装置。
IPC (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455
FI (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/44 G ,  C23C16/455
F-Term (19)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030EA08 ,  4K030FA10 ,  4K030GA01 ,  4K030GA05 ,  4K030KA02 ,  4K030KA49 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045BB08 ,  5F045DP14 ,  5F045DP19 ,  5F045DP27 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (2)

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