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J-GLOBAL ID：200903067892312357

GaN系化合物半導体結晶の結晶成長装置

Inventor：
甲斐荘 敬司

About 甲斐荘 敬司

, 
佐々木 伸一

About 佐々木 伸一


Applicant, Patent owner：
株式会社日鉱マテリアルズ

About 株式会社日鉱マテリアルズ


Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001109699
Publication number (International publication number)：2002305155
Application date： Apr. 09, 2001
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：
【要約】【課題】 結晶欠陥が少ないGaN系化合物半導体単結晶を長期間にわたって歩留まりよく製造できる結晶成長装置を提供する。【解決手段】 密閉可能で耐熱性を有する結晶成長容器と、前記結晶成長容器内に配置される基板保持具と、原料ガスを前記結晶成長容器内に導入する第1の導入管と、前記基板保持具の近傍まで延設されNH3ガスを前記結晶成長容器内の基板保持具付近に導入する第2の導入管と、結晶成長温度を制御する温度制御手段と、を少なくとも具備し、前記Ga原料ガスと前記NH3ガスを反応させて前記基板保持具により保持された基板上にGaN系化合物半導体結晶を気相成長させる結晶成長装置において、生成されたGaN系化合物に曝される部位、例えば前記基板近傍に位置する前記第2の導入管の少なくともノズル部分を構成する物質は、熱膨張係数がGaNの熱膨張係数の1/5から5倍の範囲にあり、かつ融点が1300°C以上であるように、望ましくは、熱膨張係数がGaNの熱膨張係数の1/3から3倍の範囲にあり、かつ融点が1500°C以上であるようにした。
Claim (excerpt)：
密閉可能で耐熱性を有する結晶成長容器と、前記結晶成長容器内に配置される基板保持具と、原料ガスを前記結晶成長容器内に導入する第1の導入管と、前記基板保持具の近傍まで延設されNH3ガスを前記結晶成長容器内の基板保持具付近に導入する第2の導入管と、結晶成長温度を制御する温度制御手段と、を少なくとも具備し、前記Ga原料ガスと前記NH3ガスを反応させて前記基板保持具により保持された基板上にGaN系化合物半導体結晶を気相成長させる結晶成長装置において、生成されたGaN系化合物に曝される部位を構成する物質は、熱膨張係数がGaNの熱膨張係数の1/5から5倍の範囲にあり、かつ融点が1300°C以上であることを特徴とするGaN系化合物半導体結晶の結晶成長装置。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38
FI (2)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D
F-Term (22)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077EG23 ,  4G077EG25 ,  4G077TD01 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF07 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB12 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EB13 ,  5F045EE12 ,  5F045EF11 ,  5F045EK06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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