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J-GLOBAL ID：200903015596569377
半導体リレー
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
安藤 淳二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997329165
Publication number (International publication number)：1999163392
Application date： Nov. 28, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：
【要約】【課題】 小型化及び薄型化するとともに、実装歩留りを向上させることのできる半導体リレーを提供する。【解決手段】 所定形状にパターニングされた配線パターンが形成されて成る平板状の回路基板1の一方の面に、LED2及び光起電力素子3がAgペースト等によりダイボンディングされ、Auワイヤ4等により配線パターンと電気的に接続されるようにワイヤボンディングされている。そして、LED2及び光起電力素子3は光を透過する透光性樹脂5により覆われ、透光性樹脂5はさらに光を透過しない遮光性樹脂6により覆われている。また、回路基板1の光起電力素子3実装面側に、MOSFET7a,7bがバンプ8を介してフリップチップ実装され、MOSFET7a,7bが遮光性樹脂6により封止されている。
Claim (excerpt)：
配線パターンが形成された1枚の基板の同一面上に発光素子及び光起電力素子が実装され、前記発光素子及び光起電力素子が透光性樹脂により覆われ、該透光性樹脂が遮光性樹脂により覆われ、MOSFETが前記基板にフリップチップ実装され、前記発光素子からの光が前記透光性樹脂と前記遮光性樹脂との界面で反射して、前記光起電力素子に受光されるようにしたことを特徴とする半導体リレー。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 31/12 C
, H03K 17/78 F
Cited by examiner (6)
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