磁気抵抗効果素子および磁気記憶装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (8)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006268670
Publication number (International publication number)：2007150265
Application date： Sep. 29, 2006
Publication date： Jun. 14, 2007
Summary：

【課題】磁化反転電流密度を低減する。【解決手段】磁気抵抗効果素子は、膜面に垂直方向である双方向の電流通電により磁化の方向が変化しかつ情報を記録する磁化記録層13と、磁化の方向が固着された磁化参照層11と、磁化記録層13および磁化参照層11間に設けられた非磁性層12とを具備する。磁化記録層13は、非磁性層12に接するように設けられかつ第1の磁気異方性エネルギーを有する界面磁性層と、第1の磁気異方性エネルギーより大きい第2の磁気異方性エネルギーを有する磁化安定化層15とを含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

膜面に垂直方向である双方向の電流通電により磁化の方向が変化しかつ情報を記録する磁化記録層と、磁化の方向が固着された磁化参照層と、前記磁化記録層および前記磁化参照層間に設けられた非磁性層とを具備し、前記磁化記録層は、前記非磁性層に接するように設けられかつ第1の磁気異方性エネルギーを有する界面磁性層と、前記第1の磁気異方性エネルギーより大きい第2の磁気異方性エネルギーを有する磁化安定化層とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01F 10/32

FI (5)：

H01L43/08 M , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01L29/82 Z , H01F10/32

F-Term (48)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119FF05 , 4M119FF15 , 4M119FF17 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049BA25 , 5E049CB01 , 5F092AA01 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB04 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB55 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC13 , 5F092BC33 , 5F092BC39 , 5F092BC46 , 5F092BE05 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6,256,223号明細書

Cited by examiner (2)

記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-203260 Applicant：ソニー株式会社
フェリ磁性体を用いるスピン遷移スイッチング磁気素子およびこの磁気素子を用いる磁気メモリ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-528153 Applicant：グランディスインコーポレイテッド

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