フェリ磁性体を用いるスピン遷移スイッチング磁気素子およびこの磁気素子を用いる磁気メモリ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：恩田博宣 , 恩田誠 , 本田淳 , 池上美穂
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008528153
Publication number (International publication number)：2009514193
Application date： Aug. 23, 2006
Publication date： Apr. 02, 2009
Summary：

磁気素子を提供するための方法およびシステムを開示する。この方法およびシステムは、被ピン止め層を提供すること、スペーサ層を提供すること、および自由層を提供することを含む。自由層はフェリ磁性であり、導体フェライト、ガーネット、希土類元素以外のフェリ磁性合金、重希土類遷移金属合金、半金属性フェリ磁性体、および二重層のうちの1つ以上を含む。この二重層は、希土類遷移金属合金層およびスピン電流増加層を含む。この磁気素子は、書込電流が磁気素子を通過するときスピン遷移のために自由層のスイッチングが行われることを可能とするように構成されている。

Claim (excerpt)：

磁気素子であって、被ピン止め層と、スペーサ層と、フェリ磁性であり、かつ、導電性フェライト、ガーネット、希土類以外のフェリ磁性合金、重希土類遷移金属合金、半金属性フェリ磁性体、ならびに、希土類遷移金属合金層および希土類遷移金属合金層とスペーサ層との間に存在するスピン電流増加層を含む二重層のうちの1つ以上を含む自由層と、を備え、書込電流が磁気素子を通過するときスピン遷移のために自由層のスイッチングが行われることを可能とするように構成されている磁気素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (2)：

H01L43/08 Z , H01L27/10 447

F-Term (23)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB53 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC46

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許出願公開第2005/0040433号明細書

Cited by examiner (2)

非晶質フェリ磁性合金を使用してスピン偏極電流で書き込みを行なう磁気メモリ及びその書き込み方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-529474 Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-203783 Applicant：株式会社東芝

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