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J-GLOBAL ID：200903044974521264

記憶素子

Inventor：
大森 広之

About 大森 広之


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005203260
Publication number (International publication number)：2007027196
Application date： Jul. 12, 2005
Publication date： Feb. 01, 2007
Summary：
【課題】 記録された情報を安定に保持することができ、かつ少ない電流で記録することが可能な記憶素子を提供する。【解決手段】 第1の磁性層1と第2の磁性層3と第3の磁性層5とが、非磁性層2,4を介して積層され、第1の磁性層1の磁化M1の向きが固定され、第2の磁性層3及び第3の磁性層5により記憶層6が構成され、第2の磁性層3と第3の磁性層5とが、磁化M3,M5の向きが互いに反平行となるように磁気的結合しており、第3の磁性層5の磁化が第2の磁性層3の磁化よりも大きく、第3の磁性層5の分極率が第2の磁性層3の分極率の0.7倍以下であり、非磁性層2を通じて、第1の磁性層1と第2の磁性層3との間に電流を流すことにより情報の記録が行われる記憶素子10を構成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1の磁性層と、第2の磁性層と、第3の磁性層とが、それぞれ非磁性層を介して積層されて成り、 前記第1の磁性層は、磁化の向きが固定された磁性層であり、 前記第2の磁性層及び前記第3の磁性層により、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層が構成され、 前記第2の磁性層と、前記第3の磁性層とが、磁化の向きが互いに反平行となるように磁気的結合しており、 前記第3の磁性層の磁化が、前記第2の磁性層の磁化よりも大きく、 前記第3の磁性層の分極率が、前記第2の磁性層の分極率の0.7倍以下であり、 前記非磁性層を通じて、前記第1の磁性層と前記第2の磁性層との間に電流を流すことにより情報の記録が行われる ことを特徴とする記憶素子。
IPC (6)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 29/82
FI (6)：
H01L43/08 M ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L29/82 Z
F-Term (8)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA39
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

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