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J-GLOBAL ID:200903015640810699

像形成方法及び該方法を用いて半導体装置を製造する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 丸島 儀一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992276065
Publication number (International publication number):1994124872
Application date: Oct. 14, 1992
Publication date: May. 06, 1994
Summary:
【要約】【目的】 格子線が互いに直交する2種類の格子パターンを結像する際の解像度を上げる。【構成】 開口絞り308の開口31〜34に、開口31、33からの射出する第1光束と開口32、34から射出する第2光束が互いに偏光面が直交する直線偏光光となるよう偏光フィルター101〜104を設け、レチクル304の第1格子パターン上に第1光束を遮光する偏光フィルター162を設け、レチクル304の第2格子パターン上に第2光束を遮光する偏光フィルター163を設け、第1、第2光束によりレチクル304の第1、第2格子パターンを斜め照明する。【効果】 各格子パターンがそれらの像のコントラストを低下させる光束により照明されないので、高コントラストで各格子パターンの像を形成することが可能になる。
Claim (excerpt):
格子線の方向が互いにほぼ直交する第1、第2の格子パターンを該第1格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入射する第1光束と該第2格子パターンの格子線と平行な入射平面を形成するよう斜入射する第2光束とを用いて照明し、該第1、第2格子パターンの像を形成する方法において、前記第1格子パターンに前記第1光束を遮光して前記第2光束を通過せしめるする光選択手段を設けると共に前記第2格子パターンに前記第2光束を遮光して前記第1光束を通過せしめる光選択手段を設けることにより、前記第1光束により前記第2格子パターンの像を形成し、前記第2光束により前記第1格子パターンの像を形成することを特徴とする像形成方法。
IPC (2):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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