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J-GLOBAL ID:200903015678931309
薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (5):
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003537125
Publication number (International publication number):2005506704
Application date: Oct. 10, 2002
Publication date: Mar. 03, 2005
Summary:
この発明は、薄膜トランジスタを有し、2枚の基板(1,11)から得られる電子装置に関する。金属パターン(24,29)と有機物層(4)との間の非接着部分の剥離を防止するために金属パターン(24,29)が開口(30)を有する。これらの開口(30)を介して、有機物層(4、5)と基板(1,11)のいずれかの表面(111)上の有機材料間の接着が行われる。この電子装置はマイクロコンタクトプリンティングにより製造される。
Claim (excerpt):
金属の第1電極層が設けられた表面を有するベース基板と、
半導体材料のチャネル層と、
誘電体材料の中間層と、
金属の第2電極層が設けられた有機物表面を有する接着基板とを備えた電子装置であって、
前記電極層とチャネル層と中間層中に薄膜トランジスタが形成され、
前記電子装置は前記電極層とチャネル層と中間層とを介して前記基板を張り合わせて形成され、
前記第2電極層は導電面を備え、前記接着基板の面の有機材料と前記中間層、チャネル層、ベース基板表面のいずれか一つから選択された層の有機材料との間で接着が行われる開口を前記導電面が有することを特徴とする電子装置。
IPC (4):
H01L21/336
, H01L29/423
, H01L29/49
, H01L29/786
FI (4):
H01L29/78 627D
, H01L29/58 G
, H01L29/78 617K
, H01L29/78 616T
F-Term (30):
4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB09
, 4M104BB30
, 4M104FF11
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH09
, 5F110AA26
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC05
, 5F110DD01
, 5F110EE02
, 5F110EE24
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF27
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK42
, 5F110HM04
, 5F110NN72
, 5F110NN73
, 5F110QQ16
Patent cited by the Patent: