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J-GLOBAL ID：200903015680619886

半導体光機能素子

Inventor： 鷹野 秀明 ,  佐野 博久 ,  金武 達郎 ,  大平 昌輝 ,  鈴木 誠 ,  井上 宏明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995016642
Publication number (International publication number)：1996211342
Application date： Feb. 03, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 端面の反射率を低減できると共に、ファイバとの結合損失を小さくできる半導体光機能素子を、その製造工程を複雑化することなく得る。【構成】 半導体基板上にバッファ層及び活性層等を積層した基板1の光機能部22に導波路型発光素子2と、モード変換領域23にビームスポット径を変化させる導波路3を設ける。この時、導波路3は端面21の法線方向に対して角度θだけ斜めにして設けて、発光機能を有する半導体光機能素子20を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された光機能部の入射端面および/または出射端面に導波光のビーム径を変化させるモード変換領域を備えると共に、モード変換領域のファイバと接続される側の端面を、光の導波方向に対して斜めに設けたことを特徴とする半導体光機能素子。

IPC (3)：

G02F 1/025 ,  G02B 6/122 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 光導波路デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平2-406230   Applicant：日本電信電話株式会社
• 光結合デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-127578   Applicant：日本電信電話株式会社