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J-GLOBAL ID:200903015680655653

半導体発光装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998161714
Publication number (International publication number):1999354848
Application date: Jun. 10, 1998
Publication date: Dec. 24, 1999
Summary:
【要約】【課題】 発光素子と静電気保護用等のサブマウント素子とにより素子を複合化するに際してバンプとの接合性がよく素子機能にも影響を及ぼすことのない半導体発光装置の提供。【解決手段】 半導体発光素子1に予め形成したp側及びn側のバンプ5,4を、静電気保護用のツェナーダイオード6の電極6c,6bに融解・溶着を利用して導通接合させる半導体発光装置において、バンプ4,5と電極6c,6bとを、その共晶組成の合金の共晶温度が少なくともAuよりも低い異種の金属材料とする。また、ツェナーダイオード6側にバンプを予め形成しておき、これに発光素子1のn側及びp側の電極2,3を接合する構成としてもよい。
Claim (excerpt):
p側及びn側の電極のそれぞれにバンプを形成した半導体発光素子と、前記バンプに接合される2つの電極を形成した補助機能用のサブマウント素子とを備え、前記バンプと前記サブマウント素子の電極の融解・溶着を利用して導通接合させた複合化素子を含む半導体発光装置であって、前記バンプと前記サブマウント素子の電極とを、その共晶組成の合金の共晶温度が少なくともAuよりも低い異種の金属材料としてなる半導体発光装置。
IPC (2):
H01L 33/00 ,  H01L 21/60
FI (2):
H01L 33/00 N ,  H01L 21/92 603 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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