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J-GLOBAL ID：200903015711149204

無電解めっき皮膜の形成方法

Inventor：
永久保 浩章

About 永久保 浩章


Applicant, Patent owner：
シチズン時計株式会社

About シチズン時計株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001288395
Publication number (International publication number)：2003096573
Application date： Sep. 21, 2001
Publication date： Apr. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板の裏面及び側面にめっきレジストを塗布することなく、該半導体基板のパッド電極上に均一な膜厚の無電解めっき皮膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 パッド電極21上に亜鉛置換法により亜鉛置換皮膜23を置換析出させ、次いで、純水で洗浄した後、対極12にステンレスの棒材にニッケルめっきを施したものを用い、該対極12を負電極として被めっき基板である半導体基板15に微小な正電位を印加しながら酸化還元型の無電解ニッケルめっき液に浸漬することにより、半導体基板15の裏面及び側面にめっきレジストを塗布することなく、複数個のパッド電極21上に均一な膜厚の無電解ニッケルめっき皮膜による突起電極16が得られる。
Claim (excerpt)：
半導体基板のパッド電極上に無電解めっき皮膜を形成する方法であって、そのパッド電極を選択的に活性化する工程と、前記半導体基板を無電解めっき液に浸漬すると同時に、外部電源により前記半導体基板に電位を印加しながら無電解めっき皮膜を析出させる工程とを有する無電解めっき皮膜の形成方法。
IPC (5)：
C23C 18/16 ,  C23C 18/30 ,  C23C 18/34 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/60
FI (6)：
C23C 18/16 B ,  C23C 18/30 ,  C23C 18/34 ,  H01L 21/288 N ,  H01L 21/92 604 D ,  H01L 21/92 604 M
F-Term (12)：
4K022AA05 ,  4K022BA14 ,  4K022BA16 ,  4K022BA31 ,  4K022BA32 ,  4K022CA06 ,  4K022CA17 ,  4K022DA03 ,  4K022DA04 ,  4K022DB02 ,  4M104BB05 ,  4M104DD53
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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