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J-GLOBAL ID：200903015715820571

磁性メモリデバイス、および磁性メモリデバイスにおけるデータ読み出し方法

Inventor：
松井 範幸

About 松井 範幸


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000227728
Publication number (International publication number)：2002042458
Application date： Jul. 27, 2000
Publication date： Feb. 08, 2002
Summary：
【要約】【課題】 複数の磁性層を含む磁性メモリセルに対するデータの書き込み/読み出しを行う磁性メモリデバイス、およびそのデータ読み出し方法に関し、メモリセルの記憶密度の向上を図り、かつ、消費電力の節減を図ることを目的とする。【解決手段】 少なくとも3層の磁性層を積層して磁性メモリセル2を形成し、複数の磁性メモリセルを複数の第1のラインと、第1のラインと交差する複数の第2のラインとの交点に沿って配置し、第1のラインと第2のラインに選択的に電流を流して第1、第2および第3の磁性層の磁気モーメントの方向を制御することにより、特定の磁性メモリセルに対しデータの書き込みを行い、第1のラインの各々は少なくとも2本のワード線からなり、2本のワード線の各々は、第1、第2および第3の磁性層のいずれか一つの磁気モーメントの方向を個別に制御し、特定の磁性メモリセルに2値以上のデータを記憶させるように構成される。
Claim (excerpt)：
第1の磁性層、第2の磁性層および第3の磁性層を含む少なくとも3層の磁性層を積層して磁性メモリセルを形成し、該磁性メモリセルは、前記第1、第2および第3の磁性層の磁気モーメントの方向によって異なる抵抗値を有しており、複数の前記磁性メモリセルを複数の第1のラインおよび該第1のラインと交差する複数の第2のラインの交点に沿って配置し、前記第1のライおよび前記第2のラインに選択的に所定の電流を流して前記第1、第2および第3の磁性層の磁気モーメントの方向を制御することにより、特定の磁性メモリセルに対しデータの書き込みを行う磁性メモリデバイスであって、前記第1のラインの各々は、少なくとも2本のワード線からなり、該ワード線の各々は、前記第1、第2および第3の磁性層のいずれか一つの磁気モーメントの方向を個別に制御することにより、前記特定の磁性メモリセルに対し2値以上のデータを記憶させることを特徴とする磁性メモリデバイス。
IPC (6)：
G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (6)：
G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01F 10/00 ,  H01F 10/06 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12
F-Term (6)：
5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5E049CB10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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