炭化珪素半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996275127
Publication number (International publication number)：1998125620
Application date： Oct. 17, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】炭化珪素(SiC)基板上の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介してNiを用いたオーミック電極を形成する場合の電極はがれを防止する。【解決手段】半導体素子が形成されたSiC基板20上に、SiO2 からなる絶縁膜21が形成されている。この絶縁膜21にはコンタクトホール21aが形成されており、このコンタクトホール21a内に、SiC基板20に形成された半導体素子とオーミックコンタクトするオーミック電極としてのNi電極22が形成されている。この場合、Ni電極22は、コンタクトホール21a内にのみ形成され、絶縁膜21上には形成されていないので、Ni電極22のはがれを防止することができる。

Claim (excerpt)：

半導体素子が形成された炭化珪素基板(20)と、前記炭化珪素基板上に形成されコンタクトホール(21a)を有する絶縁膜(21)と、前記コンタクトホールを介して前記半導体素子とオーミックコンタクトするオーミック電極とを備え、前記オーミック電極はNi電極(22)であって、このNi電極は前記コンタクトホール内に形成され前記絶縁膜上に繋がって形成されていないことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 29/16 , H01L 29/78

FI (6)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/28 301 F , H01L 29/16 , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 652 M , H01L 29/78 653 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開平4-074865
特開平3-280545
化合物半導体装置における電極配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-101007 Applicant：株式会社東芝

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