ビアホール形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：後呂和男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000286629
Publication number (International publication number)：2002100866
Application date： Sep. 21, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】メッキ金属を充填する際にメッキ高さのばらつきを低減することのできるビアホール形成方法を提供することにある。【解決手段】ビアホール7形成後に、ビアホール7内に残留するガラス繊維糸2を除去するためのガラス除去処理を行う。これにより、ビアホール7の内壁を略垂直に形成することができる。このため、ビアホール7内のメッキ液の流れを良好にすることができ、メッキ金属8を均一に成長させることができる。また、ビアホール7の形状が均一化され、メッキ高さLのばらつきを低減することができる。また、フッ化物を用いてガラス除去処理を行えば、フッ化物のガラスを溶解するという性質によって、ビアホール7内に残留するガラス繊維糸2を良好に除去することができるとともに、ガラス除去処理を低コストで簡便に行うことができる。

Claim (excerpt)：

ガラス布に樹脂を含浸させてなる絶縁性基板にレーザ照射を行ってビアホールを形成するビアホール形成方法であって、レーザ照射後に前記ビアホール内に残留するガラス繊維を除去するガラス除去処理を行うことを特徴とするビアホール形成方法。

IPC (3)：

H05K 3/42 610 , H05K 3/00 , H05K 3/46

FI (4)：

H05K 3/42 610 A , H05K 3/00 N , H05K 3/46 X , H05K 3/46 N

F-Term (21)：

5E317AA24 , 5E317BB02 , 5E317BB11 , 5E317CC25 , 5E317CC31 , 5E317CD01 , 5E317CD27 , 5E317CD32 , 5E317GG01 , 5E317GG16 , 5E346AA02 , 5E346AA05 , 5E346AA43 , 5E346CC04 , 5E346CC09 , 5E346CC32 , 5E346DD12 , 5E346DD32 , 5E346FF14 , 5E346GG15 , 5E346HH31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

プリント配線板、ICカード、プリント配線板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-131098 Applicant：松下電工株式会社
ガラスセラミック多層配線基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-160884 Applicant：日本電気株式会社
プリント配線板のスルーホール形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-124736 Applicant：株式会社イースタン

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Genuine Etchback Using Permanganate System

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