高解像度ポジ型化学増幅系レジスト材料及びそれを用いたレジストパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：三枝英二 , 掛樋悠路 , 菱田高弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007077640
Publication number (International publication number)：2008241737
Application date： Mar. 23, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：

【課題】マトリックス樹脂が簡便な製造方法によって得られ、真空下で露光する非光リソグラフィプロセスに適用して微細なレジストパターン形成が可能であって、しかも露光時における保護基の脱落が抑制されている高解像度ポジ型化学増幅系レジスト材料を提供する。【解決手段】フェノール性水酸基の一部又は全部がケタール基によって置換された、ポリ(4-ヒドロキシスチレン)又はその誘導体を含有するポジ型化学増幅系レジスト材料であって、前記ポリ(4-ヒドロキシスチレン)又はその誘導体は、RAFT剤としてのジチオエステル系化合物の存在下、スチレン系モノマーをリビングラジカル重合する工程を有する製造方法により得られる、ポジ型化学増幅系レジスト材料。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

フェノール性水酸基の一部又は全部がケタール基によって置換された、ポリ(4-ヒドロキシスチレン)又はその誘導体を含有するポジ型化学増幅系レジスト材料であって、前記ポリ(4-ヒドロキシスチレン)又はその誘導体は、RAFT剤としてのジチオエステル系化合物の存在下、スチレン系モノマーをリビングラジカル重合する工程を有する製造方法により得られる、ポジ型化学増幅系レジスト材料。

IPC (4)：

G03F 7/039 , C08F 2/38 , H01L 21/027 , C08F 12/22

FI (4)：

G03F7/039 601 , C08F2/38 , H01L21/30 502R , C08F12/22

F-Term (31)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BF15 , 2H025BG00 , 2H025CB16 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB56 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J011AA05 , 4J011NA26 , 4J011NB04 , 4J100AB04P , 4J100BA02H , 4J100BA03H , 4J100BA05H , 4J100BC04H , 4J100CA01 , 4J100CA31 , 4J100DA04 , 4J100FA04 , 4J100HA61 , 4J100HB25 , 4J100HC13 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特公平2-27660号公報
新規なレジスト材料及びパタ-ン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-173830 Applicant：和光純薬工業株式会社
単分散性共重合体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-212162 Applicant：信越化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page