Pat
J-GLOBAL ID：200903015834211419

突起電極の形成方法

Inventor：
若林 猛

About 若林 猛

, 
三原 一郎

About 三原 一郎


Applicant, Patent owner：
カシオ計算機株式会社

About カシオ計算機株式会社


Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997164906
Publication number (International publication number)：1998340907
Application date： Jun. 09, 1997
Publication date： Dec. 22, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ドライフィルムレジストからなるメッキレジスト層を形成して電解メッキにより突起電極を形成するとき、メッキレジスト層が剥がれないようにする。【解決手段】 下地金属層15の上面に液状レジストを1〜2μm程度塗布して第1メッキレジスト層16を形成し、その上面に厚さ100μm程度のドライフィルムレジストをラミネートして第2メッキレジスト層17を形成する。次に、第1及び第2メッキレジスト層16、17の所定の部分に開口部18、19を形成する。この場合、液状レジストからなる第1メッキレジスト層16の下地金属層15に対する密着性が良好であり、またドライフィルムレジストからなる第2メッキレジスト層17の第1メッキレジスト層16に対する密着性も良好であるので、開口部18、19内において第1及び第2メッキレジスト層16、17に剥がれが生じないようにすることができる。
Claim (excerpt)：
基板上に接続パッドが形成され、前記基板の上面に前記接続パッドの所定の一部に対応する部分に開口部を有する保護膜が形成され、これにより前記接続パッドの所定の一部が前記保護膜の開口部を介して露出されたものを用意した上、その上面全体に下地金属層を形成し、該下地金属層上に該下地金属層に対する密着性の良好な第1メッキレジスト層を形成し、該第1メッキレジスト層上に該第1メッキレジスト層に対する密着性の良好な第2メッキレジスト層を該第1メッキレジスト層よりも厚く形成し、前記接続パッドに対応する部分における前記第1及び第2メッキレジスト層に開口部を形成し、該開口部内にメッキにより突起電極を形成することを特徴とする突起電極の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205
FI (4)：
H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 604 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM