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J-GLOBAL ID：200903015856763024

III族窒化物系半導体結晶の製造方法及びハイドライド気相成長装置

Inventor：
江利 健

About 江利 健

, 
柴田 真佐知

About 柴田 真佐知


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004031830
Publication number (International publication number)：2005223243
Application date： Feb. 09, 2004
Publication date： Aug. 18, 2005
Summary：
【課題】 石英部材を使用した結晶成長炉を用いて、優れた制御性及び再現性でもって珪素元素をドープしながら、容易にかつ低いコストでIII族窒化物系半導体結晶をハイドライド気相成長法により製造できる方法及び装置を提供する。【解決手段】 III族金属ハロゲン化物形成用のハロゲン化水素の供給管30と異なる第二の供給管20から、結晶成長炉1にさらにハロゲン化水素を導入し、耐熱性珪素含有材料からなる流通管2に通して基板5上に導き、流通管2に含まれている珪素元素をIII族窒化物系半導体結晶9にドープする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
結晶成長炉中に載置したIII族金属ソースにハロゲン化水素を供給し、両者を反応させて前記III族金属のハロゲン化物を生成させ、得られた前記III族金属ハロゲン化物と含窒素化合物ガスを気相反応させて、基板上にIII族窒化物結晶を成長させるハイドライド気相成長法によりIII族窒化物系半導体結晶を製造する方法において、前記III族金属ハロゲン化物生成用のハロゲン化水素の供給管と異なる第二の供給管から前記結晶成長炉にさらにハロゲン化水素を導入し、耐熱性珪素含有材料からなる流通管に通して前記基板上に導くことにより、前記流通管に含まれている珪素元素を前記III族窒化物系半導体結晶にドープすることを特徴とするIII族窒化物系半導体結晶の製造方法。
IPC (2)：
H01L21/205 ,  C23C16/34
FI (2)：
H01L21/205 ,  C23C16/34
F-Term (21)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA20 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030KA02 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045CA09 ,  5F045DA60 ,  5F045EE13 ,  5F045EF09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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