金属層形成方法及び配線形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996198315
Publication number (International publication number)：1997063992
Application date： Jul. 09, 1996
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】金属蒸着条件を最適化して超薄膜の金属層を形成する方法及びこれを用いて高いアスペクト比を有するコンタクトホールを埋め込むための金属配線形成方法を提供する。【解決手段】ウェーハの温度を-25°C〜常温の範囲となるように冷却した後に、金属層の蒸着工程を実行することにより、スパッタリングされた金属原子が下地膜に吸着しやすい程度を示す湿潤性を向上させ、核生成位置数の増加による単位体積当たり粒界エネルギーを増やす。これにより、蒸着された金属層の表面状態を改善して均一な超薄膜の金属膜が得られる。また、高いアスペクト比を有するコンタクトホールにおけるアルミニウムの充填特性が向上する。

Claim (excerpt)：

物理的気相蒸着方法により金属層を形成する方法において、相応のエネルギーを持って入射されて、ウェーハ上に物理的に吸着される原子により稠密な核を生成のために、ウェーハを冷却してウェーハの温度を低下させた中で、金属層を物理的気相蒸着法により形成することを特徴とする金属層形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/285 , H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/285 P , H01L 21/90 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法及び製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-238905 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-025324 Applicant：松下電子工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-007245 Applicant：松下電器産業株式会社

Show all

Return to Previous Page